IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載查看詳情>流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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汽車電動化和智能化的雙重推進(jìn)下,IGBT成汽車半導(dǎo)體硬核賽道?
- 這是 海豚投研 的第 279 篇原創(chuàng)文章 -特斯拉、蔚小理在生活周邊越來越多地出現(xiàn),新能源車的快速滲透直接帶來了寧德時(shí)代等電池行業(yè)的崛起。而本輪新能源車的發(fā)展,帶來的不僅是動力方式的轉(zhuǎn)變,還有自動駕駛、智能座艙等智能化的趨勢
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